如何準確測量開關損耗?
一個高質(zhì)量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
一、開關損耗
由于開關管是非理想型器件,其工作過程可劃分為四種狀態(tài),如圖1所示?!皩顟B(tài)”表示開關管處于導通狀態(tài);“關閉狀態(tài)”表示開關管處于關閉狀態(tài);“導通過程”是指開關管從關閉轉(zhuǎn)換成導通狀態(tài);“關閉過程”指開關管從導通轉(zhuǎn)換成關閉狀態(tài)。一般來說,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”,而“關閉狀態(tài)”的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計。
圖1開關管四種狀態(tài)劃分
實際的測量波形圖一般如圖2示。
圖2開關管實際功率損耗測試
二、導通過程損耗
晶體管開關電路在轉(zhuǎn)換過程中消耗的能量通常會很大,因為電路寄生信號會阻止設備立即開關,該狀態(tài)的電壓與電流處于交變的狀態(tài),因此很難直接計算功耗,以往的做法,將電壓與電流認為是線性的,這樣可以通過求三角形的面積來粗略計算損耗,但這是不夠準確的。對于數(shù)字示波器來說,通過都會提供高級數(shù)學運算功能,因此可以使用下面的公式計算導通過程的損耗。
Eon表示導通過程的損耗能量
Pon表示導通過程的平均損耗功率(有功功率)
Vds、Id分別表示瞬時電壓和電流
Ts表示開關周期
t0、t1表示導通過程的開始時間與結(jié)束時間
關閉過程損耗
關閉過程損耗與導通過程損耗計算方法相同,區(qū)別是積分的開始與結(jié)束時間不同。
Eoff表示關閉過程的損耗能量
Poff表示關閉過程的平均損耗功率(有功功率)
Vds、Id分別表示瞬時電壓和電流
Ts表示開關周期
t2、t3表示關閉過程的開始時間與結(jié)束時間
三、導通損耗
導通狀態(tài)下,開關管通常會流過很大的電流,但開關管的導通電阻很小,通常是毫歐級別,所以導通狀態(tài)下?lián)p耗能量相對來說是比較少的,但亦不能忽略。使用示波器測量導通損耗,不建議使用電壓乘電流的積分的來計算,因為示波器無法準確測量導通時微小電壓。舉個例子,開關管通常關閉時電壓為500V,導通時為100mV,假設示波器的精度為±1‰(這是個非常牛的指標),最小測量精度為±500mV,要準確測量100mV是不可能的,甚至有可能測出來的電壓是負的(100mV-500mV)。
由于導通時的微小電壓,無法準確測量,所以使用電壓乘電流的積分的方法計算的能量損耗誤差會很大。相反,導通時電流是很大的,所以能測量準確,因此可以使用電流與導通電阻來計算損耗,如下面公式:
Econd表示導通狀態(tài)的損耗能量
Pcond表示導通狀態(tài)的平均損耗功率(有功功率)
Id分別表示瞬時電流
Rds(on)表示開關管的導通電阻,在開關管會給出該指標,如圖3所示
Ts表示開關周期
t1、t2表示導通狀態(tài)的開始時間與結(jié)束時間
圖3導通電阻與電流的關系
四、開關損耗
開關損耗指的是總體的能量損耗,由導通過程損耗、關閉過程損耗、導通損耗組成,使用下面公式計算:
五、開關損耗分析插件
高端示波器通常亦集成了開關損耗分析插件,由于導通狀態(tài)電壓測量不準確,所以導通狀態(tài)的計算公式是可以修改的,主要有三種:
●UI,U和I均為測量值
●I2R,I為測量值,R為導通電阻,由用戶輸入Rds(on)
●UceI,I為測量值,Uce為用戶輸入的電壓值,用于彌補電壓電壓測不準的問題。
一般建議使用I2R的公式,下圖是ZDS4000Plus的開關損耗測試圖。
圖4開關損耗測試結(jié)果圖
六、總結(jié)
開關損耗測試對于器件評估非常關鍵,通過專業(yè)的電源分析插件,可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估,相對于手動分析來說,更加簡單方便。對于MOSFET來說,I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇。